SSB用 トランシーバー基板(1.5W 出力）の試作基板は手配した。
井上のICー730に採用されていたSSB フィルターにしてみた、 新品未使用はサトー電気でまだ在庫ある。
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RX と TXの切り替えについて (於 CW)
オムロンのＧ5Vタイプでは応答時間は5ミリ秒。
2000年に高速カメラで撮像したことがオイラはある。バネで引っ張っているので2ミリ秒はきれない。平均3.5ミリ秒。販売側の仕様は安全マージンを50%にして5ミリ秒。 定格電圧の2倍DCを掛けると早くなる。 (この時 カメラ＋boardで500万してた。）
1分は60秒(3600ミリ秒）。
欧文速度120文字/分であれば1点長さ10ミリ秒。 ここ参考。
バネ式リレーでは5ミリ秒食うので、ぎりぎり応答が間に合う。（余裕度は2。） 速度140文字/分でのやり取りはバネでの応答は苦しいぽい。
受信から送信への切り替え遅延回路を入れる場合には、許容は4ミリ秒以下。
それより長いと短点の頭が短くなって違和感になる。「デジタル処理時代なので、cw送り信号まるごと遅延5ミリ秒」をメーカーは実施している気がする。
遅延させたい場合には、IGBT用スッイチングFETを使って応答遅れをわがわざ発生させると、遅延回路は不要になる。
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SSRのG3CN(DCタイプ）を使うとフルブレークは大丈夫になる。電圧が低いと応答が遅くなるので12V程度では使いたい。2個つかいになるので FAIL SAFE に工夫必要。
diodeでの送受切り替えは応答時間0.1ミリ秒から0.07ミリ秒。回路のCRが釣り下がると遅くなる。 この場合RF用 pin DIODEを採用。 古くは三菱MI308らしい。 送信時のRFフロントエンドへのTX印加具合の式がおちてはいないので、謎深し。
diodeで切り替え時間を小さくする工夫は1960年代の英語古典書籍にはある。2000年以降 それを取り入れた自作屋はいないぽい。 CRが釣り下がってロスタイムが増えた場合の対策。
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まとめ
オムロンのバネ式リレーでは応答時間起因でcw フルブレークは少しむずかしいので、半導体リレー あるいはRF pin diode 採用がベター。
RF PIN DIODEの現流通タイプを調べてる。
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QP-7
水晶振動子がコレクター側にはいっておるので OSC強度は強い。周波数の揺るぎは少ない回路。
トランジスタ3個でしっかりした電波をだそうとすれば、必ずこうなる
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コールド側に水晶振動子を接地させたOSC回路。
特徴はコールド側のノイズが発振波形に加算されること。FM帯電話通信でこれをやると音が濁るので注意。
ＣＷではビート音だけなので露呈しにくい。
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周波数安定度では、QP-7 >>> QP-7C
周波数可変わざとしてはL1の同調Cを変えてFreqを動かすこともできる。ハイZでの電線配線がでて
くるので 少し面倒。