そこそこの小出力トランジスタアンプの基板を興してきた。自作半導体ラジオのAFをIC からトランジスタ化したいのが起点。 つまり10mV入力程度でフルに鳴るラジオアンプ基板からスタートしている。 5mVで100mWも出ればパワーゲインとしては上出来だ。（ラジオは低周波でのパワーゲインでは80～100dB必要だが、audio amp分野は低周波パワーゲイン 45dBもあれば足りる）
ラジオは受信端の1μV信号をSP端で0.5W程度にする増幅度が必要。
レコード再生もカートリッジ端で1mVくらいはでてくるが、ラジオほどの弱信号は扱わない。(3ケタ違う)
ここは、それなりに力のある方向けの情報site。
教えて君むけではないのでamp回路説明は、刊行本を読めば済む。
2sa1015と2sc1815でまとめた回路のRK-226。
等負荷差動回路ではないので、 差動部の半導体を流れる電流は同値でない。 つまりミラーリングの概念は通用しない。 差動対である必要はゼロ。
dual transistorで作画すると こうなる。 「差動入力＋能動負荷」。
片負荷なので差動対にしてしまうと「ミラーリングしたいが出来ない」ので、デバイス動作しにくい可能性もある。 オイラの実験では、片負荷の差動対(dual transisitor )はまだ満足に動作しない。
rk-233はbar led対応なので、下図のように表現できる。
analog deviceの SSM2210,2220はまだ流通しているので RK-233は deviceを載せ替えた基板にする。差動入力はそこで一区切り。
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DBM（ダブル差動回路)では、バイアス具合によって加算になるか乗算になるかが別れる。これの研究は されていない妙な世界。
差動入力回路を実験すると ゲイン最大値状態では、差分はさほど大きくない。 これも机上理論だけで研究が随分と甘い。