トランジスタ式ミニワッターPart2 基板キット： ぺるけstyle。
公開されている回路での基板化をした作例。 良くも悪くも回路思想を反映している。
12V供給で800mW出力。17Ｖ時で2Ｗ超える。
KITは領布中 ：
ドライビングを660mVもいれないとフルパワーにならないのが、原回路の難点。 「歪の少ない動作点で200mV」をだせる「中押しアンプ」も入れないと音質面では、トランジスタ式ミニワッターPart2 ぺるけstyle 苦しいね。
この「トランジスタ式ミニワッターPart2」の回路特徴
1, 終段に流れる電流が細いので、音には艶がない。
2, 2ルートNFBなので帰還信号同志が喧嘩している音になる。聴感が悪いとわからんらしい。
3,フルパワーにするには 中押しAMPが必要。
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励磁段での中和Cは不要。
半導体の進化歴をみると外部Cを使わなく済むように集積回路は進化している。回路と云うか 配置と云うか バイアスの与え方なのか？？？ 外部Cレス回路がOP 741から標準になった。
近30年の IC 等価回路をみると中和Cが使ってあっても10PF程度の小容量。 まあ大きいと拙いことが目立つ中和C.
励磁段での中和を必要だとするのは50年前の設計思想。終段ではCobの小さいtrを選定しているので、中和cは使わないで済むようにしなきゃ不自然。