100kcマーカーVer2の 詳細を忘れぬうちにupしておく。電源は積層9v電池。
①移相発振部の波形。発振強度は6v弱。エミッター電流は1.5mA（抵抗に掛かる電圧を数値換算).
②「変調デバイスが壊れた状態」での100kc水晶発振部の波形。水晶は100kcだが チョーク負荷だとこんな周波数になる。終段の入り口で測っているので、終段の影響も見れる。 チョークのインダクタンスを替えると周波数も変る。 雑誌記載ではチョーク負荷回路が多いが、現実はＬＣでの共振負荷にすべきだ。
エミッタ電流は9.5mA.(抵抗に掛かる電圧から数値換算) オシロからは高調波の存在も確認できる。
③「変調デバイスが壊れた状態」ので被変調部の波形。VccにAF信号が重畳していない、素のVccで駆動。 RF成分は180V超えだ。(200V近い).C級動作。
入り口が②写真のようにRF12V程度,出口がRF200V近傍と9V印加でのC級動作での波形でもここまで昇圧できる。。
エミッター抵抗に掛かる電圧をテスター読みして、数値換算するとエミッター電流は7mA. 乾電池が9Vなので結構なPOWERが終段入力されていることが分かる。
AM変調時のPeak powerは 平均値の△倍になるので、それだけの電流(電力）が流れても壊れない半導体を選ぶ。
④「変調デバイスを新品交換した状態」での被変調部の波形。 上の③と同じポイントで測っているが、波形が違う。 変調が浅いことも分かる。 加算回路(搬送波+移相発振)による変調のように見えるが、加算ならＲＦ強さが150V程度あるはず。
この波形をこのオシロで見るとこうなる。乗算回路での波形。
「実験で変調トランスレス変調を学習する」に手頃な基板になった。 軽微なC級作動確認もできるのでhfeに依存するかどうかも実験で確認できる。
終段と変調デバイスを同じ型番にすると、終段が壊れる前に「トランスレス変調デバイス」が過電流で壊れることが体験できた。
このマーカー基板で遊んでみたい方は、連絡ください(2枚送ります)。SASEにて受け付けます。
この実験結果とAMトランスミッターの実験情報を基にして、次に進む。