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BFO基板の要望があったので興してみた。
CSB455を載せた
IFT近傍から電波で飛ばすOSC強度になっている。
C経由で入れるか? 電波か? はお好みでお願いします。
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①
R11を5.6K, c2=56pfにしてみた。
455.1kHzになった。
LA1600へC経由注入量は0.003v前後が良かったので、発振強度は0.2Vほどにしてある。C増減で調整。 プロダクト検波用だと半導体スイッチングに0.7V程度は必要になるので、ケース バイ ケースで注入量を調整する。
②
R11=ゼロオームにしてみた。 発振強度はまずまず。この強さだとプロダクト検波デバイスへの注入強さになる。
NE612は455kcではマイナスゲインになるので、プロダクト検波(455khz)では他デバイスが良い。
③
CSB455 からCRB455にかえてみた。 1.6kHzほど上がった。
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④
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・レゾネータに発振強度は依存(メーカー差は2倍ていど)するので、R11を調整のこと。
ラジオ側へのC経由注入は0.003V弱前後がよいことが多い。C経由で入れるのでC容量(1PF~1000PF)で合わせる ⇒R11を5.6k ,3端子レギュレータは5vでよいとは想うがラジオ次第。
通算355作目。 基板ナンバー RK-97。
・プロダクト検波への注入であれば0.7V超えていれてください。
・ラジオでのBFOであれば0.1~0.001V弱前後でベターポイントがあります。
町田のサトー電気にて扱い中。